Kartu su visapusiškais tradicinių Al2O3 ir BeO substrato medžiagų pranašumais, aliuminio nitrido (AlN) keramika, pasižyminti dideliu šilumos laidumu (teorinis monokristalų šilumos laidumas yra 275 W/m▪k, polikristalų teorinis šilumos laidumas yra 70–210 W/m). ), maža dielektrinė konstanta, šiluminio plėtimosi koeficientas, suderintas su monokristaliniu siliciu, ir geros elektros izoliacijos savybės, yra ideali medžiaga grandinės substratams ir pakavimui mikroelektronikos pramonėje.Tai taip pat svarbi medžiaga aukštos temperatūros struktūriniams keramikos komponentams dėl gerų aukštos temperatūros mechaninių savybių, šiluminių savybių ir cheminio stabilumo.
Teorinis AlN tankis yra 3,26 g/cm3, MOHS kietumas yra 7-8, varža kambario temperatūrai didesnė nei 1016 Ωm, o šiluminis plėtimasis yra 3,5 × 10-6 / ℃ (kambario temperatūra 200 ℃).Gryna AlN keramika yra bespalvė ir skaidri, tačiau dėl nešvarumų ji būtų įvairių spalvų – pilka, pilkšvai balta ar šviesiai geltona.
Be didelio šilumos laidumo, AlN keramika turi ir šiuos privalumus:
1. Gera elektros izoliacija;
2. Panašus šiluminio plėtimosi koeficientas su silicio monokristalu, pranašesnis už tokias medžiagas kaip Al2O3 ir BeO;
3. Didelis mechaninis stiprumas ir panašus atsparumas lenkimui su Al2O3 keramika;
4. Vidutinė dielektrinė konstanta ir dielektriniai nuostoliai;
5. Palyginti su BeO, AlN keramikos šilumos laidumą mažiau veikia temperatūra, ypač aukštesnė nei 200 ℃;
6. Atsparumas aukštai temperatūrai ir atsparumas korozijai;
7. Netoksiškas;
8. Būti taikomas puslaidininkių pramonėje, chemijos metalurgijos pramonėje ir kitose pramonės srityse.
Paskelbimo laikas: 2023-07-14